Toate produsele Infineon Technologies

Tranzistor HEXFET Infineon Technologies IRFZ44ES 1 canal N 110 W D2PAK

Microcontroler embedded Infineon Technologies SAF-C515C-8EM CA, MQFP-80 (14x14), 8 biţi, 10 MHz, I/O 49

Tranzistor MOSFET IRF540NSPBF, canal N, 130 W, D2PAK, Infineon Technologies

Tranzistor bipolar Infineon BCR 148 S NPN, carcasă SOT 363, I(C) 70 mA

Date tehnice Tip: BCR 148 S Versiune: NPN Carcasă: SOT 363 IC: 70 mA UCEO: 50 V Ptot: 250 mW Conform RoHS: da R1: 47 kΩ R2: 47 kΩ UI ON: max. 50 V

Diodă Infineon Schottky BAT 62, carcasă SOT 143

Date tehnice Tip: BAT 62 Carcasă: SOT 143 IF: 20 mA UR: 40 V Conform RoHS: da

Diodă Infineon Schottky BAT 60 A, carcasă SOD 323, 10V, 3000 mA

Diodă Infineon Schottky BAT 17-04 (Dual), carcasă SOT 23

Date tehnice Tip: BAT 17-04 (Dual) Carcasă: SOT 23 IF: 130 mA UR: 4 V Conform RoHS: da

Diodă PIN Infineon BAR 65-03 W, carcasă SOD 323

Diodă PIN bandă 8 mm.

Diodă PIN Infineon BAR 64-04 W (Dual), carcasă SOT 323

Diodă PIN bandă 8 mm.

Senzor de câmp magnetic efect Hall, TLE 4945 L, carcasă PSSO 3-2, pentru câmpuri magnetice alternative, versiune loaded

Senzor de câmp magnetic efect Hall, TLE 4935 L, carcasă PSSO 3-2, pentru câmpuri magnetice alternative, versiune loaded

Senzor de câmp magnetic efect Hall, TLE 4905 L, carcasă PSSO 3-2, pentru câmpuri magnetice alternative, versiune loaded

Senzor de temperaturǎ din siliciu Infineon KTY 11-5

Date tehnice Tip: KTY 11-5 Domeniu de temperaturǎ: -50 - +150 °C Carcasǎ: TO 92 mini Toleranţǎ: ± 1 % Rezistenţǎ de bazǎ: (R25) 1970 Ω Conform RoHS: da

Senzor de temperatură din siliciu Infineon KTY 23-5

Date tehnice Tip: KTY 23-5 Domeniu de temperaturǎ: -50 - +150 °C Carcasǎ: SOT 23 Toleranţǎ: ± 1 % Rezistenţǎ de bazǎ: (R25) 985 Ω Conform RoHS: da

Senzor de temperatură din siliciu Infineon KTY 21-5

Date tehnice Tip: KTY 21-5 Domeniu de temperaturǎ: -50 - +150 °C Carcasǎ: TO 92 mini Toleranţǎ: ± 1 % Rezistenţǎ de bazǎ: (R25) 985 Ω

Diodă varicap (diodă capacitivă) Infineon BB 914, carcasă SOT 23

Diodă cu capacitate variabilă (diodă capacitivă), livrare în bandă 8 mm.

Diodă Infineon Schottky BAS 70-05 (Dual), carcasă SOT 23

Date tehnice Tip: BAS 70-05 (Dual) Carcasă: SOT 23 IF: 70 mA UF: ≤ 410 mV UR: 70 V

Tranzistor bipolar Infineon BCX 69-16 PNP, carcasă SOT 89, I(C) 1 A

Tranzistor PNP (bandă 12 mm).

Tranzistor bipolar Infineon BC 848 C NPN, carcasă SOT 23, I(C) 100 mA

Date tehnice Tip: BC 848 C Versiune: NPN Carcasă: SOT 23 IC: 100 mA UCEO: 30 V Conform RoHS: da UCE: 5 V ICM: 0,2 A hFE: 420 - 800

Diodă varicap (diodă capacitivă) Infineon BB 814, carcasă SOT 23

Diodă cu capacitate variabilă (diodă capacitivă), livrare în bandă 8 mm.

Diodă Infineon Schottky BAS 70, carcasă SOT 23

Date tehnice Tip: BAS 70 Carcasă: SOT 23 IF: 70 mA UF: ≤ 410 mV UR: 70 V Conform RoHS: da

Diodă Infineon Schottky BAS 40-07 (Dual), carcasă SOT 143

Date tehnice Tip: BAS 40-07 (Dual) Carcasă: SOT 143 IF: 120 mA UF: ≤ 380 mV UR: 40 V

Tranzistor bipolar Infineon BCX 55-16 NPN, carcasă SOT 89, I(C) 1000 mA

Date tehnice Tip: BCX 55-16 Versiune: NPN Carcasă: SOT 89 IC: 1000 mA UCEO: 60 V Conform RoHS: da UCE: 2 V ICM: 1500 mA hFE: 100 - 250

Diodă Infineon Schottky BAS 40-06 (Dual), carcasă SOT 23

Date tehnice Tip: BAS 40-06 (Dual) Carcasă: SOT 23 IF: 120 mA UF: ≤ 380 mV UR: 40 V

Tranzistor bipolar Infineon BCR 185 PNP, carcasă SOT 23, I(C) 100 mA

Date tehnice Tip: BCR 185 Versiune: PNP Carcasă: SOT 23 IC: 100 mA UCEO: 50 V Ptot: 330 mW R1: 10 kΩ R2: 47 kΩ UI ON: max. 20 V

Tranzistor bipolar Infineon BCP 28 PNP, carcasă SOT 223, I(C) 0.5 A

Date tehnice Tip: BCP 28 Versiune: PNP Carcasă: SOT 223 IC: 0,5 A UCEO: 30 V ICM: 800 mA

Diodă varicap (diodă capacitivă) Infineon BB 640, carcasă SOD 323

Diodă cu capacitate variabilă (diodă capacitivă), livrare în bandă 8 mm.

Diodă Infineon Schottky BAS 40-05 (Dual), carcasă SOT 23

Date tehnice Tip: BAS 40-05 (Dual) Carcasă: SOT 23 IF: 120 mA UF: ≤ 380 mV UR: 40 V Conform RoHS: da

Tranzistor bipolar Infineon BCX 53-16 PNP, carcasă SOT 89, I(C) 1 A

Tranzistor PNP (bandă 12 mm).

Diodă Infineon Schottky BAS 40-04 (Dual), carcasă SOT 23

Date tehnice Tip: BAS 40-04 (Dual) Carcasă: SOT 23 IF: 120 mA UF: ≤ 380 mV UR: 40 V Conform RoHS: da

Tranzistor bipolar Infineon BCX 52-16 PNP, carcasă SOT 89, I(C) 1 A

Tranzistor PNP (bandă 12 mm).

Tranzistor bipolar Infineon BCR 183 PNP, carcasă SOT 23, I(C) 100 mA

Date tehnice Tip: BCR 183 Versiune: PNP Carcasă: SOT 23 IC: 100 mA UCEO: 50 V Ptot: 330 mW Conform RoHS: da R1: 10 kΩ R2: 10 kΩ UI ON: max. 20 V

Tranzistor bipolar Infineon BC 847-C W NPN, carcasă SOT 323, I(C) 100 mA

Date tehnice Tip: BC 847-C W Versiune: NPN Carcasă: SOT 323 IC: 100 mA UCEO: 45 V Conform RoHS: da UCE: 5 V ICM: 0,2 A hFE: 420 - 800

Diodă varicap (diodă capacitivă) Infineon BB 535, carcasă SOD 323

Diodă cu capacitate variabilă (diodă capacitivă), livrare în bandă 8 mm.

Tranzistor bipolar Infineon BCX 51-16 PNP, carcasă SOT 89, I(C) 1 A

Tranzistor PNP (bandă 12 mm).

Tranzistor bipolar Infineon BC 847 C NPN, carcasă SOT 23, I(C) 100 mA

Date tehnice Tip: BC 847 C Versiune: NPN Carcasă: SOT 23 IC: 100 mA UCEO: 45 V Conform RoHS: da UCE: 5 V ICM: 0,2 A hFE: 420 - 800

Tranzistor bipolar Infineon BCX 42 PNP, carcasă SOT 23, I(C) 0.8 A

Tranzistor PNP (bandă 8 mm).

Tranzistor bipolar Infineon BC 847-B W NPN, carcasă SOT 323, I(C) 100 mA

Date tehnice Tip: BC 847-B W Versiune: NPN Carcasă: SOT 323 IC: 100 mA UCEO: 45 V UCE: 5 V ICM: 0,2 A hFE: 200 - 450

Tranzistor bipolar Infineon BCX 41 NPN, carcasă SOT 23, I(C) 800 mA

Date tehnice Tip: BCX 41 Versiune: NPN Carcasă: SOT 23 IC: 800 mA UCEO: 125 V Conform RoHS: da UCE: 1 V ICM: 1000 mA hFE: >= 63

Tranzistor bipolar Infineon BC 847-B NPN, carcasă SOT 23, I(C) 100 mA

Date tehnice Tip: BC 847-B Versiune: NPN Carcasă: SOT 23 IC: 100 mA UCEO: 45 V Conform RoHS: da UCE: 5 V ICM: 0,2 A hFE: 200 - 450