- Acasa
- Componente active
- Semiconductori
- Tranzistoare cu efect de camp
- Tranzistoare MOSFET
- Tranzistor MOSFET IRF540NSPBF, canal N, 130 W, D2PAK, Infineon Technologies
Tranzistor MOSFET IRF540NSPBF, canal N, 130 W, D2PAK, Infineon Technologies
STOC EPUIZAT !
ACEST PRODUS NU MAI FACE PARTE DIN OFERTA NOASTRĂ ȘI NU MAI POATE FI COMANDAT !
Specificatii tehnice
R(DS)(on) | 44 mΩ |
Canale | 1 |
Conform RoHS | da |
V(GS)(th) max. | 4 V |
Tensiune de referință Q(G) | 10 V |
Tensiune de referință R(DS)(on) | 10 V |
Curent de referință R(DS)(on) | 16 A |
Tensiune de referință C(ISS) | 25 V |
I(d) | 33 A |
V(DSS) | 100 V |
V | 100 V |
Putere disipată max. P(TOT) | 130 W |
Q(G) | 71 nC |
Carcasă | D2PAK |
Tip produs | MOSFET |
Temperatură de funcționare (min.) | -55 °C |
C(ISS) | 1960 pF |
Curent de referință max. I(DSS) | 250 µA |
Design | canal N |
Temperatură de funcționare (max.) | +175 °C |
Serie | HEXFET® |
Caracteristică tranzistor | standard |
Tip | IRF540NSPBF |
Producător | Infineon Technologies |
Tip montare | montare pe suprafață |
Documente atasate
Fisa tehnica - Fisa tehnica v.01 EN 162413
Opinii
Pareri Tranzistor MOSFET IRF540NSPBF, canal N, 130 W, D2PAK, Infineon Technologies
Spune-ne parerea ta despre acest produs si porneste discutia.
Detii sau ai utilizat produsul?
Clientii GermanElectronics.ro nu au adaugat inca opinii pentru acest produs. Fii primul care adauga o parere, folosind formularul de mai jos.
Aceasta actiune necesita acceptarea cookie-urilor, conform GDPR
Alerta de pret
Ati putea fi interesat si de urmatoarele produse
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF 9640
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0,5 Ω Descriere: -200 V/-11 A UDS: -200 V ID: -11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal P Tip: IRF 9640
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A
Date tehnice Tip: IRFB 11 N 50 A Conform RoHS: da RDS(on): 0,52 Ω Descriere: 500 V/11 A UDS: 500 V ID: 11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBC 40
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 1,2 Ω Descriere: 600 V/6,2 A UDS: 600 V ID: 6,2 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N Tip: IRFBC 40
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBE 30
Date tehnice Versiune: canal N Tip: IRFBE 30 RDS(on): 3 Ω UDS: 800 V ID: 4,1 A Carcasă: TO-220 Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 350
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0.30 Ω UDS: 400 V ID: 16 A Carcasă: TO-247 Versiune: canal N Tip: IRFP 350