- Acasa
- Componente active
- Semiconductori
- Tranzistoare cu efect de camp
- Tranzistoare MOSFET
- Tranzistor MOSFET 1 canal N 200 W TO-220AB Infineon Technologies IRF3205
Tranzistor MOSFET 1 canal N 200 W TO-220AB Infineon Technologies IRF3205
Descriere
Un tranzistor MOSFET este o componentă controlată de tensiune și poate fi legată direct la surse de impedanţă mare. Prin urmare, este potrivit pentru a fi utilizat ca întrerupător sau amplificator analogic. Acest tranzistor este compatibil µC, TTL şi CMOS.
Specificatii tehnice
Design | canal N |
Tip produs | MOSFET |
Canale | 1 |
V(DSS) | 55 V |
Temperatură de funcționare (max.) | +175 °C |
Temperatură de funcționare (min.) | -55 °C |
Tensiune de referință C(ISS) | 25 V |
C(ISS) | 3247 pF |
Tensiune de referință Q(G) | 10 V |
Q(G) | 146 nC |
Curent de referință max. I(DSS) | 250 µA |
V(GS)(th) max. | 4 V |
Tensiune de referință R(DS)(on) | 10 V |
V | 55 V |
Curent de referință R(DS)(on) | 62 A |
Caracteristică tranzistor | standard |
Tip montare | montare la suprafață |
Serie | HEXFET® |
Conform RoHS | da |
Putere disipată max. P(TOT) | 200 W |
R(DS)(on) | 8 mΩ |
Tip | IRF3205 |
Carcasă | TO-220AB |
Abreviere producător | INF |
Conţinut | 1 buc. |
Documente atasate
Fisa tehnica - Fisa tehnica v.01 EN 158712
Opinii
Pareri Tranzistor MOSFET 1 canal N 200 W TO-220AB Infineon Technologies IRF3205
Spune-ne parerea ta despre acest produs si porneste discutia.
Detii sau ai utilizat produsul?
Clientii GermanElectronics.ro nu au adaugat inca opinii pentru acest produs. Fii primul care adauga o parere, folosind formularul de mai jos.
Aceasta actiune necesita acceptarea cookie-urilor, conform GDPR
Alerta de pret
Ati putea fi interesat si de urmatoarele produse
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF 9640
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0,5 Ω Descriere: -200 V/-11 A UDS: -200 V ID: -11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal P Tip: IRF 9640
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A
Date tehnice Tip: IRFB 11 N 50 A Conform RoHS: da RDS(on): 0,52 Ω Descriere: 500 V/11 A UDS: 500 V ID: 11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBC 40
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 1,2 Ω Descriere: 600 V/6,2 A UDS: 600 V ID: 6,2 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N Tip: IRFBC 40
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBE 30
Date tehnice Versiune: canal N Tip: IRFBE 30 RDS(on): 3 Ω UDS: 800 V ID: 4,1 A Carcasă: TO-220 Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 350
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0.30 Ω UDS: 400 V ID: 16 A Carcasă: TO-247 Versiune: canal N Tip: IRFP 350