- Acasa
- Componente active
- Semiconductori
- Tranzistoare cu efect de camp
- Tranzistoare MOSFET
- Tranzistor MOSFET, canal N, Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06
Tranzistor MOSFET, canal N, Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06
Descriere
Tip: RFP 50 N 06
Execuţie: canal N
Carcasǎ: TO 220 AB
ID: 50 A
UDS: 60 V
Ptot: 131 W
RDS (on): 0,022 Ω (la 50 mA)
Conform RoHS: da
Documente atasate
Fisa tehnica - Fisa tehnica v.01 EN 151583
Tehnologii
Opinii
Pareri Tranzistor MOSFET, canal N, Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06
Spune-ne parerea ta despre acest produs si porneste discutia.
Detii sau ai utilizat produsul?
Clientii GermanElectronics.ro nu au adaugat inca opinii pentru acest produs. Fii primul care adauga o parere, folosind formularul de mai jos.
Aceasta actiune necesita acceptarea cookie-urilor, conform GDPR
Alerta de pret
Ati putea fi interesat si de urmatoarele produse
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF 9640
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0,5 Ω Descriere: -200 V/-11 A UDS: -200 V ID: -11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal P Tip: IRF 9640
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A
Date tehnice Tip: IRFB 11 N 50 A Conform RoHS: da RDS(on): 0,52 Ω Descriere: 500 V/11 A UDS: 500 V ID: 11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBC 40
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 1,2 Ω Descriere: 600 V/6,2 A UDS: 600 V ID: 6,2 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N Tip: IRFBC 40
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBE 30
Date tehnice Versiune: canal N Tip: IRFBE 30 RDS(on): 3 Ω UDS: 800 V ID: 4,1 A Carcasă: TO-220 Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 350
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0.30 Ω UDS: 400 V ID: 16 A Carcasă: TO-247 Versiune: canal N Tip: IRFP 350