- Acasa
- Componente active
- Semiconductori
- Tranzistoare cu efect de camp
- Tranzistoare MOSFET
- Tranzistor MOSFET NXP PHC 20125
Tranzistor MOSFET NXP PHC 20125
STOC EPUIZAT !
ACEST PRODUS NU MAI FACE PARTE DIN OFERTA NOASTRĂ ȘI NU MAI POATE FI COMANDAT !
Descriere
Tip: PHC 21025
Execuţie: canal N+P
Carcasǎ: SO 8
I D: 3,5/2,3 A
R DS (on): (la 2,2/1 A) 0,1/0,25 Ω
Ptot: 1 W
U DS: 30 V
Conform RoHS: da
Documente atasate
Fisa tehnica - Fisa tehnica v.01 EN 150862
Tehnologii
Opinii
Pareri Tranzistor MOSFET NXP PHC 20125
Spune-ne parerea ta despre acest produs si porneste discutia.
Detii sau ai utilizat produsul?
Clientii GermanElectronics.ro nu au adaugat inca opinii pentru acest produs. Fii primul care adauga o parere, folosind formularul de mai jos.
Aceasta actiune necesita acceptarea cookie-urilor, conform GDPR
Alerta de pret
Accesorii optionale
Pastă termoconductoare 7.8 W/mK 2.1 g max. 150 °C Conrad Components CTCM78-1
Componentele individuale din silicon ale acestei paste termoconductoare de înaltă calitate garantează un raport armonios între termoconductibilitate și izolare electrică. Datorită vâscozității...
Ati putea fi interesat si de urmatoarele produse
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF 9640
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0,5 Ω Descriere: -200 V/-11 A UDS: -200 V ID: -11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal P Tip: IRF 9640
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A
Date tehnice Tip: IRFB 11 N 50 A Conform RoHS: da RDS(on): 0,52 Ω Descriere: 500 V/11 A UDS: 500 V ID: 11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBC 40
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 1,2 Ω Descriere: 600 V/6,2 A UDS: 600 V ID: 6,2 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N Tip: IRFBC 40
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBE 30
Date tehnice Versiune: canal N Tip: IRFBE 30 RDS(on): 3 Ω UDS: 800 V ID: 4,1 A Carcasă: TO-220 Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 350
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0.30 Ω UDS: 400 V ID: 16 A Carcasă: TO-247 Versiune: canal N Tip: IRFP 350