Tranzistoare cu efect de camp
Tranzistor MOSFET Vishay IRF510PBF canal N 43 W TO-220
Un tranzistor MOSFET este o componentă controlată de tensiune, ce poate fi legată la surse de înaltă impedanță. El este potrivit pentru utilizare drept comutator sau amplificator analogic. Notă:...
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 9240
Date tehnice ID: 12 A Carcasă: TO-247 RDS(on): 0.50 Ω UDS: 200 V Conform RoHS: da Versiune: canal P Tip: IRFP 9240
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 450 LC
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0.4 Ω UDS: 500 V ID: 16 A Carcasă: TO-247 Versiune: canal N Tip: IRFP 450 LC
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 450
Date tehnice Tip: IRFP 450 Versiune: canal N UDS: 500 V ID: 14 A Carcasă: TO-247 Conform RoHS: da RDS(on): 0.4 Ω
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 360 LC
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0.20 Ω UDS: 400 V ID: 23 A Carcasă: TO-247 Versiune: canal N Tip: IRFP 360 LC
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFP 350
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0.30 Ω UDS: 400 V ID: 16 A Carcasă: TO-247 Versiune: canal N Tip: IRFP 350
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBE 30
Date tehnice Versiune: canal N Tip: IRFBE 30 RDS(on): 3 Ω UDS: 800 V ID: 4,1 A Carcasă: TO-220 Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFBC 40
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 1,2 Ω Descriere: 600 V/6,2 A UDS: 600 V ID: 6,2 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N Tip: IRFBC 40
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRFB 11 N 50 A
Date tehnice Tip: IRFB 11 N 50 A Conform RoHS: da RDS(on): 0,52 Ω Descriere: 500 V/11 A UDS: 500 V ID: 11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal N
Tranzistor Power MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 34 N
Date tehnice Rth max.: 2,7 °C/W ID @ HighTemp: -14 A ID @ 25°C: -19 A Conform RoHS: da RDS(on): 0,10 Ω Descriere: -60 V/-19 A UDS: -55 V ID: -19 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal P Tip: IRF 9 Z 34 N
Tranzistor Power MOSFET International Rectifier IRF 9 Z 24 N
Date tehnice Versiune: canal P Tip: IRF 9 Z 24 N Rth max.: 3,3 °C/W ID @ HighTemp: -8,5 A RDS(on): 0,175 Ω Descriere: -60 V/-12 A UDS: -55 V ID: -12 A Carcasă: TO-220 ID @ 25°C: -12 A Conform...
Tranzistor MOSFET (HEXFET) Vishay IRF 9640
Date tehnice Conform RoHS: da RDS(on): 0,5 Ω Descriere: -200 V/-11 A UDS: -200 V ID: -11 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal P Tip: IRF 9640
Tranzistor Power MOSFET International Rectifier IRF 9630
Date tehnice Conform RoHS: da Rth max.: 1,7 °C/W RDS(on): 0,8 Ω ID @ HighTemp: -4 A ID @ 25°C: -6,5 A Descriere: -200 V/-6,5 A Uds: -200 V Id: -6,5 A Carcasă: TO-220 Versiune: canal P Tip: IRF 9630
Tranzistor MOSFET ST Microelectronics STP 16 NF 06 L, canal-N, carcasă tip TO 220 AB, I(D) 16 A, U(DS) 60 V
Date tehnice Model: STP 16 NF 06 L Versiune: canal-N Carcasă: TO 220 AB I(D): 16 A U(DS): 60 V R(DS)on: 0,1 Ω Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET ST Microelectronics IRF 630, canal-N, carcasă tip TO 220 AB, I(D) 9 A, U(DS) 200 V
Date tehnice Model: IRF 630 Versiune: canal-N Carcasă: TO 220 AB I(D): 9 A U(DS): 200 V R(DS)on: 0,4 Ω Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET, canal N, Fairchild Semiconductor RFP 12 N 10 L
Date tehnice Tip: RFP 12 N 10 L Execuţie: canal N Carcasǎ: TO 220 AB ID: 12 A UDS: 100 V Ptot: 60 W RDS (on): 0,14 Ω (la 70 mA) Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET, canal N, Fairchild Semiconductor RFP 50 N 06
Date tehnice Tip: RFP 50 N 06 Execuţie: canal N Carcasǎ: TO 220 AB ID: 50 A UDS: 60 V Ptot: 131 W RDS (on): 0,022 Ω (la 50 mA) Conform RoHS: da
Tranzistor MOSFET, canal N, Fairchild Semiconductor RFP 70 N 06
Date tehnice Tip: RF 70 N 06 Execuţie: canal N Carcasǎ: TO 220 AB ID: 70 A UDS: 60 V Ptot: 150 W RDS (on): 0,014 Ω (la 70 mA) Conform RoHS: da